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北條 喜一; 大津 仁*; 古野 茂実; 笹島 尚彦*; 出井 数彦*
Journal of Nuclear Materials, 239(1-3), p.279 - 283, 1996/00
被引用回数：14 パーセンタイル：74.12(Materials Science, Multidisciplinary)TiCは低温(~20K)照射において非晶質化し難い物質であるが、水素イオン照射では非晶質化が起る。これは水素とTiやCとの化学結合が再結晶化を妨げているためと考えられる。一方、重水素イオン照射では非晶質化は起こらない。これはトンネル効果による化学反応のし易さが水素と重水素とでは10~100倍異なり、この効果が極低温で現れたものと推論した。
北條 喜一; 古野 茂実; 出井 数彦*
Journal of Electron Microscopy, 40(3), p.157 - 161, 1991/00
室温で水素イオンをSiC結晶に4.8
10
atoms/cm
以上照射した結果、非晶質相中に水素バブルが多数発生することを初めて観察した。さらに、水素照射により形成された非晶質相に室温で100keVの電子線を110
electrons/cm・s以上で照射すると照射領域にバブルの成長が観察された。このバブルは電子線の照射量とともに増加する。また、300
C、20分間アニーリングした試料ではバブルの発生・成長は観察できなかった。これらの結果、非晶質相中のdangling fondにトラップされた水素原子が電子線照射により移動し、バブルを形成したものと推論した。
小野 興太郎*; 紀 隆雄*; 古野 茂実; 北條 喜一; 出井 数彦*; 水野 薫*; 伊藤 一義*
Journal of Nuclear Materials, 183, p.154 - 160, 1991/00
被引用回数：2 パーセンタイル：31.86(Materials Science, Multidisciplinary)水素イオン照射によって、Al中に形成された小さいバブルは照射後の焼鈍によって、面状の欠陥に転換することを電顕観察によって見い出した。さらに格子像観察によって、これらの欠陥は結晶の(111)面上に乗った転移ループの多重層からなることを明らかにした。面状欠陥の形成機構として、小さい水素バブルが移動中に合体し、ガスを放出して、(111)面上につぶれて、形成されるものと解釈した。
北條 喜一; 古野 茂実; 大津 仁; 出井 数彦
Electron Microscopy 1990,Vol. 2, p.124 - 125, 1990/00
SiC結晶に10keVの水素イオンを室温と1073Kで照射した。イオン照射中の構造変化と化学変化を電顕付設の動的観察装置と電子エネルギ損失分光器をもちいて調べた。室温では、非晶質相が形成されたが、高温では構造変化は観察されなかった。EELSによるスペクトル観察では、室温・高温とも、プラズモンロスピークの低エネルギ側へのシフトが観察された。水素注入されたSiC結晶を100keVの電子線で照射した結果、多数のバブルが室温と高温の両試料中に観察された。
